收藏本站
MCH6336
--5
ID -- VDS
--6
ID -- VGS
VDS= --6V
--4
--3
--1.5V
--5
--4
--3
--2
--2
--1
--1
VGS= --1.0V
0
0
0
--0.1
--0.2
--0.3
--0.4
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
160
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
IT12987
Ta=25 ° C
120
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Ta
IT12988
140
100
120
--0.5A
--1.8V
VGS
= --1.5
= --2.5
V GS
I = --3
V GS=
100
80
60
ID= --0.5A
--1.5A
--3.0A
80
60
40
=
, I D=
V, I D
--4.5V, D
A
.0A
40
20
20
0
0
0
--1
--2
--3
--4
--5
--6
--7
--8
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
3
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
| y fs | -- ID
IT12989
--10
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IS -- VSD
IT12990
2
VDS= --6V
7
5
VGS=0V
3
10
2
7
5
3
2
Ta
=
--2
5 ° C
75
° C
--1.0
7
5
3
2
--0.1
° C
1.0
7
5
3
2
0.1
25
7
5
3
2
--0.01
7
5
3
2
--0.001
--0.01
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
5 7 --10
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
1000
7
5
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
IT12991
VDD= --6V
VGS= --4.5V
3
2
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT12992
f=1MHz
3
2
1000
100
7
5
3
2
10
7
5
3
td(off)
tf
tr
td(on)
7
5
3
2
100
7
5
Ciss
C o ss
Crss
--0.01
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
5 7 --10
0
--2
--4
--6
--8
--10
--12
Drain Current, ID -- A
IT12993
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT12994
No. A0958-3/7
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
MCH6337-TL-H MOSFET P-CH 20V 4.5A MCPH6
MCH6341-TL-E MOSFET P-CH 30V 5A MCPH6
MCH6341-TL-H MOSFET P-CH 30V 5A MCPH6
MCH6344-TL-H MOSFET P-CH 30V 2A MCPH6
MCH6421-TL-E MOSFET N-CH 5.5A 20V MCPH6
MCH6431-TL-H MOSFET N-CH 30V 5A MCPH6
MCH6436-TL-E MOSFET N-CH 30V 6A MCPH6
MCH6437-TL-E MOSFET N-CH 20V 7A MCPH6
相关代理商/技术参数
MCH6337 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
MCH6337_12 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications
MCH6337-TL-E 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
MCH6337-TL-H 功能描述:MOSFET SWITCHING DEVICE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
MCH6341 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
MCH6341_12 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications
MCH6341-TL-E 功能描述:MOSFET SWITCHING DEVICE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
MCH6341-TL-H 功能描述:MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube